Unilong
14 anni di sperienza in produzzione
Propiu 2 piante chimiche
Passatu u Sistema di Qualità ISO 9001: 2015

Eccellente qualità High Purity CAS No. 12036-21-4 Vanadium (IV) Oxide cù Prezzu Competitivu


  • CAS:12036-21-4
  • Formula Molecular:O2V
  • Pesu Molecular:82,94
  • EINECS:234-841-1
  • Sinonimu:ossidu di vanadiu (VO2); vanadiumoxide (vo2); VO2; TETRAOXIDE VANADIUM; VANADIUM OXIDE; VANADIUM (IV) OXIDE; VANADIUM DIOXIDE; Vanadium (Ⅳ) ossidu; VANADIUM (IV) OXIDE, 99,9%; VANADIUM (IV) OXIDE 98+%; VANADIUM (IV) OXIDE 99+%; Vanadiu (IV) ossidu (basi metalliche); tetrossidu di vanadiu; Vanadium (IV) oxide, 99,90%; DivanadiuM tetroxide; VanadiuM(IV) oxide 99,9% trace Metals basi; Vanadium (IV) oxide> = 99% basi di metalli traccia
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    I nostri stabilimenti ben equipati è una grande qualità di regula in tutte e fasi di a fabricazione ci permette di guarantisci una gratificazione tutale di u cumpratore per una qualità eccellente High Purity CAS No. 12036-21-4 Vanadium (IV) Oxide cù un prezzu cumpetitivu, accoglie organizzazioni affascinate per cooperà cù noi, avemu un sguardu avanti per ottene a pussibilità di travaglià cù l'urganisazioni intornu à u mondu sanu per a crescita cumuna è u successu mutuale.
    E nostre strutture ben attrezzate è una regula di grande qualità in tutte e fasi di a fabricazione ci permette di guarantisce a gratificazione tutale di u cumpratore perChina Vanadium (IV) Oxide è Vanadium (IV) Oxide Supplier, Pigliemu misura à ogni prezzu per ottene essenzialmente l'attrezzatura è e prucedure più attuali. L'imballu di a marca nominata hè a nostra altra caratteristica distintiva. E suluzioni per assicurà anni di serviziu senza prublemi anu attrattu assai clienti. I beni sò ottenibili in disinni migliurati è varietà più ricca, sò pruduciuti scientificamente di suminati puramente crudi. Hè accessibile in una varietà di disinni è specificazioni per a selezzione. I formi più novi sò assai megliu cà l'anteriore è sò assai populari cù parechji clienti.

    U diossidu di vanadiu (VO2) hè un ossidu binariu di u sistema elettronicu fortemente correlatu. A causa di l'interazzione forte trà i so elettroni internu, orbitali, lattice è spin, i cambiamenti in l'elettroni lucali è a struttura di cristalli causati da picculi stimuli esterni ponu induce VO2 à a trasfurmazioni di metalli riversibili. A struttura di cristalli, a resistenza, a trasmittanza infrared, l'indice di rifrazione è a suscettibilità magnetica di VO2 cambianu dramaticamente. Hè precisamente per via di a temperatura di transizione di fase vicinu à a temperatura di l'ambienti è di i cambiamenti bruschi in e proprietà fisiche è chimiche prima è dopu a transizione di fase chì VO2 hà una prospettiva d'applicazione assai larga in l'elettronica, l'armata, a vita di ogni ghjornu è altri campi.

    ITEM

    STANDARD

    Apparizione

    Polvere grisa scura

    Dimensione di particella

    100-200 nm

    Si

    11 ppm

    Fe

    23 ppm

    S

    20 ppm

    As

    10 ppm

    Cr

    15 ppm

    Na

    20 ppm

    K

    24 ppm

    Cl

    13 ppm

    Zr

    5 ppm

    Al

    7 ppm

    Cuntenutut

    ≥99,9%

     

    1.U scopu di l'applicazione include finestre intelligenti di risparmiu d'energia, camouflage di destinazione, rettificazioni termiche, switches RF, resonators, drivers, dispusitivi sensibili à a temperatura, è dispusitivi di emissioni di campu;
    2.Photoinduced a transizione di fase VO2 hè rapida è còmuda, chì hè benefica per studià u prucessu di dinamica di transizione di fase. L'applicazioni di u dispositivu cunnessu includenu l'almacenamiento otticu, tutti i switch ottici, fotodetettori, fototransistori, etc.
    3.U dispusitivu di cambiamentu di fasi VO2 induvatu di u campu elettricu hà una struttura simplice è larga prospettiva di applicazione. Pò esse usatu cum'è switch elettricu, transistor à effettu di campu, oscillatore elettronicu, memristor, switch RF, modulatore elettro-otticu, etc.
    4.A transizione di fase VO2 causata da doping ionicu è effetti elettrostaticu in cundizioni elettrochimichi pò esse usata in transistors à effettu di campu liquidu ionicu è in i dispositi electrochromic;
    5.The stress hà da cambià u VO2 lattice custanti in, cusì cambiendu a so struttura ilittronica per causà a transizione di fase, è pò esse usata cum'è un sensor di stress flexible;
    6.A suscettibilità magnetica di VO2 hà ancu cambiatu bruscamente in u prucessu di transizione di fasa, chì a rende potenzalmentu preziosa in u campu di a refrigerazione magnetica è i dispositi spintronici.

    25kgs/tamburu, 9tons/20'container
    25kgs/bag, 20tons/20'container

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